2019年中芯寧波N2潔淨室工程開工

文章來源:http://www.zzjyly.com/  2019年03月05日  點擊數:513

2019年2月28日,浙江省舉行擴大有效投資重大項目集中開工儀式,寧波分會場共有63個項目參與,其中包括中芯寧波特種工藝(晶圓-芯片)N2項目(以下簡稱“N2項目”)。

N2項目位於寧波市北侖區柴橋,項目用地麵積192畝,建築麵積20萬平方米,項目總投資39.9億元,建設單位為中芯集成電路(寧波)有限公司,建設工期2019年-2021年,2019年計劃投資5億元,主體施工,將新建特種工藝芯片光刻、蝕刻、薄膜、擴散等潔淨室工程及動力設備等附屬設施。

根據規劃,N2項目建成後將形成年產33萬片8英寸特種工藝芯片產能,同期開發高壓模擬、射頻前端、特種半導體技術製造和設計服務。

中芯寧波於2016年11月正式揭牌,由中芯晶圓(中芯國際(8.29, 0.04, 0.49%)全資投資基金)與寧波勝芯、華創投資等聯合成立。2018年3月,中芯國際(00981)宣布其全資附屬中芯控股向國家大基金出售其所持有的中芯寧波28.17%股權,股權轉讓完成後中芯控股所持中芯寧波的股權由66.76%減少至38.59%。目前國家大基金為中芯寧波的第二大股東,持股32.97%。

該公司將通過對相關知識產權和技術的收購、吸收、提升和發展,在高壓模擬半導體以及包括射頻與光電特色器件在內的模擬和特色工藝半導體技術領域,開發、建立新的核心器件及技術平台,以支持客戶麵向智能家電、工業與汽車電子、新一代射頻通訊以及AR/VR/MR等專用係統應用的芯片設計、產品開發。

成立兩年有餘,中芯寧波現已取得了階段性成果。2017年初,中芯寧波完成了對日銀IMP全套高壓模擬工藝及產品知識產權收購;2017年5月,中芯寧波首款600V BCD高壓模擬工藝及產品5-8英寸轉換成功,良率達到99%;2018年11月2日,中芯寧波N1項目正式投產。

今年1月,中芯寧波和宜確半導體聯合發布業界首個矽晶圓級砷化镓及SOI異質集成射頻前端模組,封裝尺寸僅為2.5x1.5x0.25立方毫米,是目前該領域內最緊湊的射頻前端器件,可滿足5G市場對於射頻前端模組的微型化需求,首批產品預計將於2019年上半年在中芯寧波N1工廠投產。

隨著N2項目的開工建設,中芯寧波的特種工藝布局進一步加速,將助推器件供給國產化。


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